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现代变频器特定谐波消去法（五）
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| ③低速过流切断电路。作为对过流的响应，当以正常驱动速度切断过电流时，IGBT产生的集电极电压尖脉冲足以损坏IGBT模块.低速过流切断电路可保护IGBT模块不被损坏(低速切断电路对于(IO5s期间的过电流不动作)。IGBT关断时的集电极波形如图1-20所示。 变频器控制柜④栅关断电源。IGBT模块需要-个+15V开栅电压以获得一个低开启电压，还需要一个一5V关栅电压，以防止关断时的误动作。开栅电压和关栅电压(+15V和一5V)均可由20V供电的驱动器内部电路产生，如图1-21所示。 为提高抗干扰性能，EXB系列驱动器的输入电路和输出电路的接线端子是分开的，如图1-22所示。输入电路(光祸合器)接线端子远离输出电路的接线端子，以保证有适当的绝缘强度和高的噪声阻抗。 EXB系列驱动器在推荐的工作条件下使用时，还应注意以下事项: ①驱动器输出过高的驱动电压会损坏IGBT，而其输出驱动电压过低将使IGBT不能正常地导通。 ②过大的输入电流会增加驱动电路的信号延迟时间，过小的输入电流会引起驱动电路工作的不稳定。 ③若IGBT的栅极电阻选择得不当，将增加IGBT和稳流二极管的开关噪声。 3. EXB系列驱动器的应用电路 (1)EXB850应用电路 EXB850为混合集成电路，能驱动高达150A的600V IGBT和高达75A的1200V IGBT.由于驱动电路的信号延迟小于45s，所以此混合集成电路适用于10kHz速度的开关工作。在应用EXB850混合集成电路时应注意以下事项: ①IGBT栅射极驱动回路接线长度必须小于Im: ②IGBT栅射极驱动回路的连接导线应为双绞线，以减少干扰信号的影响; ③应用中，IGBT集电极可产生电压尖脉冲，故为抑制IGBT集电极产生电压尖脉冲，应增加IGBT栅串联电阻(凡)的阻值。 EXB850的应用电路如图1-23所示。图中，335F不是电源滤波电容器，可抑制因供电电源接线阻抗而引起的供电电压的变化。 |
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