|
|
 |
新闻动态 | News |
|
现代变频器特定谐波消去法（十四）
|
| |
| 当LIN端输入为低电平时，LO端输出为ov，此时S2栅极上的电压为一5V，从而实现关断时所需的负压。对于上管S1, HIN端输入高电平时，HO端输出为20V，加在SI栅极上的电压为15V,当HIN端为低电平时，HO端输出为OV, S1栅极为一5V。由于IGBT为电压型驱动器件，所以负压电容C5, C6上的电压波动较小，维持在5V，自举电容上的电压也维持在20V左右，只在下管S2导通的瞬间有短暂的充电过程。IGBT的导通压降一般小于3V，负压电容C5的充电在S2导通时完成。选择C5, C6时，应要求其容量大于IGBT栅极输入寄生电容几:。自举电容充电电路中的二极管VDI必须是快恢复二极管，应留有足够的电流余量。此电路与一般的带负压驱动芯片产生负压的原理相同，直流母线上叠加了5V的电压。变频器控制柜(3)自举电容及栅极限流电阻的选取 自举电容用一个大电容和一个小电容并联使用。在频率为20kHz左右的工作状态下，选用15F和0.15F并联。并联高频小电容用来吸收高频毛刺干扰电压。上管的驱动波形峰顶不应出现下降的现象，驱动大容量的IGBT时，在工作频率较低的情况下要注意自举电容电压的稳定性问题，故选用较大容量的电容。 选择适当的栅极限流电阻对IGBT驱动相当重要。IGBT的开通和关断是通过栅极电路的充、放电来实现的，因此栅极将IGBT的动态特性产生极大的影响。数值较小的栅极电阻使栅极电容的充、放电较快，从而减小开关时间和开关损耗。同时，较小的栅极电阻也增强了器件的耐固性，避免因duldt带来的误导通，但与此同时它只能承受较小的栅极噪声，并导致栅极一发射极之间的电容与驱动电路引线的寄生电感产生振荡问题。另外，较小的栅极电阻还可使IGBT开通di/dt变大，导致较高du/dt，增加了反向恢复二极管的浪涌电压。在低频应用情况下，开关损耗不成为一个重要的考虑因素，栅极电阻增大可以提供较慢的开通速度，这时应当考虑栅极的瞬态电压和驱动电流。对于不同电流容量的IGBT，其栅极限流电阻有不同的取值。一般是功率越大的IGBT，其栅极电阻越小。栅极驱动电路的布线也应有严格要求，其引线电感应尽可能小。在实际应用中应根据具体的情况做调整，选取最合适的值。 IR2110由于其驱动电路简单，故得到了广泛的应用。以上提出的几种IR2110驱动电路的抗干扰措施，包括电平钳位电路、负压产生电路及栅极电阻的选取，应在实际应用中，根据具体的应用情况采用不同的抗干扰措施。 |
|
| |
| >>点此返回 |
|
|
|
