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电场祸合的屏蔽和抑制技术
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(1)电场祸合的屏蔽和抑制技术
图4-1等效示意了信号源地线和放大器地线之间的电位差形成的干扰源EG。它对电路主要造成共模形式的干扰。然而，由干扰源Ecm和Ec,形成的共模电压，其中一部分会转换成差模电压，直接对电路造成干扰。假设信号源Es=O，即只考虑干扰源Ecm和Ec,的作用。由于i，回路和i2回路阻抗不相等，因此回路电流i:和i2也不相等。于是两个电流的差在放大器的输入电阻上形成了差模电压。采取合适的屏蔽和正确的接地措施就可以减少和消除这些干扰。
图4-1信号源地线和放大器地线示意图
克服电场祸合干扰最有效的方法是屏蔽。原因是放置在空心导体或者金属网内的物体不受外电场的影响。请注意，屏蔽电场祸合干扰时，导线的屏蔽层最好不要两端连接当地线使用。因在有地环电流时，将在屏蔽层形成磁场，干扰被屏蔽的导线。正确的做法是让屏蔽层单点接地，一般选择信号源的一端接地。
造成电场祸合干扰的原因是两根导线之间的分布电容产生的祸合。当两导线形成电场祸合干扰时，导线1在导线2上产生的对地干图4-2示出了屏蔽线使用的三种情况。图4-2 (a)是单端接地方式。假设信号电流i，从芯线流入屏蔽线，流过负载电阻RL之后，变频器控制柜再通过屏蔽层返回信号源。因为i:与i2大小相等、方向相反，所以它们产生的磁场干扰相互抵消。这是一个很好的抑制磁场干扰的措施。同时它也是一个很好的抑制磁场祸合干扰的措施。图4-2 (b)是两端接地方式。由于屏蔽层上流过的电流是i:与地环电流iG的壳加，因此它不能完全抵消信号电流所产生的磁场干扰。它抑制磁场祸合干扰的能力比图4-2 (a)差。图4-2 (a)和4-2 (b)都有屏蔽电场祸合干扰作用。图4-2 (c)为屏蔽层悬浮。因此，它只有屏蔽电场祸合干扰能力，而无抑制磁场祸合干扰能力。
(a)单端接地
(b)两端接峨
(c)解蔽层不接地
图4-2屏蔽线的用法
如果把图4-2 (c)的抑制磁场干扰衰减能力定为0dB，则当图4-2 (a).图4-2 (b)、图4-2 (c)的信号源内阻Rs都为10052，负载电阻RL都为1 M52，信号源频率在50kHz(高于该电缆屏蔽体载频的5倍)时，根据国外专家实验测定，图4-2 (a)具有80dB的衰减，即抑制磁场干扰能力很强。而图4-2 (b)具有27dB的磁场干扰抑制能力。图4-2 (a)的单端接地方式抗干扰能力最好。其接地点的选择可以是图4-2 ( a)中的情况，也可以选择负载电阻RL侧接地，而让信号源浮置。
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