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新闻动态 | News |
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电场祸合的屏蔽和抑制技术
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R和C2G分别是被干扰导线2的对地负载电阻和总电容;C':是导线1和导线2之间的分布电容，通常C12+C2G可以看出，在干扰源的角频率w不变时，要想降低导线2上的被干扰电压UN，应当减小导线1的电压UI，减小两导线之间的分布电容Cl2,减小导线2对地负载电阻R及增大导线2对地的总电容C2G e在这些措施中，可操作性最好的是减小两导线之间的分布电容Cl2,即采用远离技术:弱信号线要远离强信号线敷设，尤其是远离动力线路。变频器控制柜工程上的“远离”概念，通常取干扰导线直径的40倍，便认为足够了。同时，避免平行走线也可以减小C12-
(2)磁场祸合干扰的抑制技术
抑制磁场祸合千扰的好办法应该是屏蔽干扰源。大电动机、电抗器、磁力开关和大电流载流导线等都是很强的磁场干扰源。但把它们都用导磁材料屏蔽起来，在工程上是很难做到的。通常是采用一些被动的抑制技术。当回路1对回路2造成磁场祸合干扰时，在回路2上形成的串联干扰电压UN为式中，w是干扰信号的角频率;
B是干扰源回路1形成的磁场连接至回路2处的磁通密度:
A为回路2感受磁场感应的磁通闭合面积;
0是B和A两个矢量的夹角。
可以看出，当干扰源的角频率u)不变时，要想降低干扰电压UN,首先应当减小B。对于直线电流磁场来说，B与回路1流过的电流成正比，而与两导线的距离成反比。因此，要有效抑制磁场祸合干扰，仍然要采用远离技术。同时，还要避免平行走线。 |
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